技术需求名称：TEOS电子化学品开发

需求类型：产品   

需求编号：Q（XD）2018012513

所属行业：新材料 

终端产品及应用范围:  

合作方式：合作开发、技术服务 

拟投资金:  

技术需求详述：研发半导体产业用的TEOS电子化学品，采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--450℃的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750℃左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。