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技术需求
TEOS电子化学品开发
来源:
|
作者:
123
|
发布时间:
2018-04-22
|
3451
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|
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技术
需求
名称:
TEOS电子化学品开发
需求类型:
产品
需
求编号:
Q(XD)2018012513
所属行业:
新材料
终端产品及应用范围
合作方式:
合作开发、技术服务
拟
投资金
技术需求详述:
需求内容:研发半导体产业用的TEOS电子化学品,采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法,
利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的,作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--450℃的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2
或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750℃左右的高温下反应生成的,
后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。
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